www.powel.ru
«ЭФО»
E-mail:
Пароль:


Модули предназначены для эффективного подавления пульсаций и шумов выходного напряжения DC/DC конвертеров до величины 3-10мВ в диапазоне частот 50Гц – 20МГц. Содержат активный и пассивный фильтры см. рис.1. (Блок схема RAM).

Пассивный LC фильтр на входе подавляет высокочастотные пульсации, связанные с переключением ключевых транзисторов DC/DC конвертера. Активная часть фильтра функционирует следующим образом. Пульсации инвертируются (умножается на -1) и складываются с выходным напряжением. Падение напряжения на модуле составляет около 350мВ и может регулироваться у MicroRAM посредством подсоединения внешних элементов. Активный фильтр подавляет низкочастотные пульсации с частотой сети и ее гармонические составляющие, шумы до 1МГц. Для их подавления стандартными методами потребовался бы значительный по размерам LC фильтр и, кроме этого, могут возникать проблемы, связанные с устойчивостью системы.

Модули не содержат фильтров для подавления синфазных пульсаций и подавляют только дифференциальные шумы, т.е. колебания напряжения, присутствующие на одном проводе по отношению к другому.

Модули серии VI- RAM предназначены для применения совместно с DC/DC конвертерами 1-го поколения. MicroRAM предназначены для применения совместно как с DC/DC конвертерами 1-го поколения так и 2-го.

Серия

Вид

Вых. ток

Изоляция

Входное
напряжение

Кол-во
выходов

Корпус (мм)

Защита
по току


MicroRAM
MicroRAM Output Ripple Attenuator Module 20А, 30А 500 В
3 – 30 В один 58x37x12,7 Да
VI-RAM RAM Ripple Attenuator Module 10А, 20А 500 В
5 -50 В один 58x61x12,7

Да

 

В исполнении
Industrial
В исполнении
Military
Отличительные особенности
VI-RAM MI-RAM
  • Подавление пульсаций и шумов до величины <3мВ
  • КПД до 98%
  • Сохраняются функции DC/DC конвертера подстройки выходного напряжения,
    защита по Iвых. макс, компенсация падения напряжения
  • Рабочий температурный диапазон до -55 ... +100С (4 градации)
Micro Ram Military COTS MicroRAM

  Ripple Attenuator Module (RAM / MI-RAM)

Output Ripple Attenuator Module (MicroRAM)


VI-RAM

Примечания: 

         
   
MicroRam    

Тип(Type): Модификации с Iвых. 10А и Iвых. 20А
Температурная градация(Product Grade):
Диапазон температур эксплуатации. 4 градации
Pin Style: Тип выводов.
Крепление платы(Baseplate):
Тип отверстий в основании для крепежа модуля.

 

Основные технические характеристики - General Performance

Параметр VI-RAM MicroRam Примечания
Пульсации на выходе <3мВ (для VI-2xx)
<10мВ (для VI-Jxx)
<10мВ Частота 60Гц – 2МГц
Пиковое значение
Подавление на >40дБ
Входное напряжение 5В – 50В 3В – 30В  
Ток До 10А; 20А До 20А; 30А От 0,02А
Макс. ток нагрузки 30А 40А  
Падение напряжения на модуле 375мВ 375мВ Типовое значение
КПД До 98% До 98%  
Напряжение изоляции 500В 500В Вход/Выход
Среднеквадратичное значение
Размер 58x61x12,7мм 58x61x12,7мм  

Схемы включения:

Рис.2 Типовая схема подключения VI-RAM

Статьи:

"Модули фильтрации и защиты от перенапряжений фирмы Vicor" Силовая электроника, №2, 2004


Дистрибуция электронных компонентов www.efo.ru © All rights reserved. EFO Ltd.
При использовании материалов
ссылка на источник обязательна.
Создание сайта © 2010 PointDesign™
Конструктивы и корпуса РЭА www.korpusa.ru Микроконтроллеры www.mymcu.ru Микросхемы Altera www.altera.ru
Мир беспроводных решений www.wless.ru Волоконно-оптические компоненты www.infiber.ru Кварцевые резонаторы
и генераторы Golledge
www.golledge.ru
Силовая электроника www.efo-power.ru Электротехническая продукция www.efo-electro.ru Контрольно-измерительные приборы www.efometry.ru
Профессиональные усилители класса D www.sound-power.ru Датчики и первичные преобразователи www.efo-sensor.ru Компоненты для промавтоматики www.efomation.ru
Продукция Lattice Semiconductor www.latticesemi.ru